型号/品牌/封装
品类/描述
库存
价格(含税)
资料
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG1275S-BA1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 105A, 1.8V, 630W, 1.2kV, Module50071-9￥465.819010-49￥453.667250-99￥444.3508100-199￥441.1103200-499￥438.6800500-999￥435.43951000-1999￥433.4142≥2000￥431.3889 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 1200V 300A Dual58631-9￥1140.667010-24￥1130.297325-49￥1125.112550-99￥1119.9276100-149￥1114.7428150-249￥1109.5579250-499￥1104.3731≥500￥1099.1882 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 25A 105000mW 24Pin Bulk89651-9￥589.687810-49￥568.997050-99￥566.4107100-149￥563.8243150-249￥559.6861250-499￥556.0653500-999￥552.4444≥1000￥548.3062 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 1700V 450A IGBT15121-9￥3273.446010-24￥3243.687425-49￥3228.808150-99￥3213.9288100-149￥3199.0495150-249￥3184.1702250-499￥3169.2909≥500￥3154.4116 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12300WB-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 500A, 1.7V, 1.4kW, 1.2kV, Module98491-9￥1474.836010-24￥1461.428425-49￥1454.724650-99￥1448.0208100-149￥1441.3170150-249￥1434.6132250-499￥1427.9094≥500￥1421.2056 -
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品类: IGBT晶体管描述: MG12300D-BN3MM 系列 1200 V 300 A 表面贴装 双 IGBT 模块55661-9￥1309.429010-24￥1297.525125-49￥1291.573250-99￥1285.6212100-149￥1279.6693150-249￥1273.7173250-499￥1267.7654≥500￥1261.8134 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12200D-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 290A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module71921-9￥1122.154010-24￥1111.952625-49￥1106.851950-99￥1101.7512100-149￥1096.6505150-249￥1091.5498250-499￥1086.4491≥500￥1081.3484 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG06600WB-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 700A, 1.45V, 1.5kW, 600V, Module55461-9￥1315.490010-24￥1303.531025-49￥1297.551550-99￥1291.5720100-149￥1285.5925150-249￥1279.6130250-499￥1273.6335≥500￥1267.6540 -
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品类: IGBT晶体管描述: 400V,20A N沟道IGBT41875-24￥3.955525-49￥3.662550-99￥3.4574100-499￥3.3695500-2499￥3.31092500-4999￥3.23775000-9999￥3.2084≥10000￥3.1644 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块，Littelfuse 超低损耗 非常坚固 高短路能力 正温度系数 在电动机驱动、反相器、直流/直流转换器、SMPS 和 UPS 中应用 ### IGBT（绝缘栅双极型晶体管）分立和模块 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。89951-9￥956.471410-49￥922.911050-99￥918.7160100-149￥914.5209150-249￥907.8088250-499￥901.9358500-999￥896.0627≥1000￥889.3506 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 600V 300A Dual48031-9￥1178.914010-24￥1168.196625-49￥1162.837950-99￥1157.4792100-149￥1152.1205150-249￥1146.7618250-499￥1141.4031≥500￥1136.0444 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 600V 200A Dual14921-9￥883.830610-49￥852.819050-99￥848.9426100-149￥845.0661150-249￥838.8638250-499￥833.4368500-999￥828.0097≥1000￥821.8074 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG06100S-BR1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 150A, 1.9V, 625W, 600V, Module44031-9￥530.863010-49￥517.014450-99￥506.3971100-199￥502.7042200-499￥499.9345500-999￥496.24151000-1999￥493.9334≥2000￥491.6253 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG0675S-BN4MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 100A, 1.45V, 250W, 600V, Module84601-9￥565.052510-49￥550.312050-99￥539.0110100-199￥535.0802200-499￥532.1321500-999￥528.20131000-1999￥525.7445≥2000￥523.2878 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 200A 625000mW12791-9￥623.409010-49￥601.535050-99￥598.8008100-149￥596.0665150-249￥591.6917250-499￥587.8638500-999￥584.0358≥1000￥579.6610 -
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品类: IGBT晶体管描述: LITTELFUSE MG12225WB-BN2MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 325A, 1.7V, 1.05kW, 1.2kV, Module25441-9￥1134.482410-49￥1094.676050-99￥1089.7002100-149￥1084.7244150-249￥1076.7631250-499￥1069.7970500-999￥1062.8309≥1000￥1054.8696 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 1200V 450A Dual67701-9￥1914.594010-24￥1897.188625-49￥1888.485950-99￥1879.7832100-149￥1871.0805150-249￥1862.3778250-499￥1853.6751≥500￥1844.9724 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 750A 2500000mW 11Pin Bulk63921-9￥1246.817010-24￥1235.482325-49￥1229.815050-99￥1224.1476100-149￥1218.4803150-249￥1212.8129250-499￥1207.1456≥500￥1201.4782 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1200V 75A 260000mW 24Pin Bulk53031-9￥1114.498010-24￥1104.366225-49￥1099.300350-99￥1094.2344100-149￥1089.1685150-249￥1084.1026250-499￥1079.0367≥500￥1073.9708 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 690000mW Medical 7Pin Bulk15131-9￥1089.612010-49￥1051.380050-99￥1046.6010100-149￥1041.8220150-249￥1034.1756250-499￥1027.4850500-999￥1020.7944≥1000￥1013.1480 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 模块 1700V 150A IGBT38391-9￥1244.177010-24￥1232.866325-49￥1227.211050-99￥1221.5556100-149￥1215.9003150-249￥1210.2449250-499￥1204.5896≥500￥1198.9342 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 400A 1450000mW Medical 7Pin Bulk54051-9￥2166.846010-24￥2147.147425-49￥2137.298150-99￥2127.4488100-149￥2117.5995150-249￥2107.7502250-499￥2097.9009≥500￥2088.0516 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 300A 1250000mW Medical 7Pin Bulk27401-9￥1649.593010-24￥1634.596725-49￥1627.098650-99￥1619.6004100-149￥1612.1023150-249￥1604.6041250-499￥1597.1060≥500￥1589.6078 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 75A 320000mW Medical 7Pin Bulk72691-9￥630.784810-49￥608.652050-99￥605.8854100-149￥603.1188150-249￥598.6922250-499￥594.8190500-999￥590.9458≥1000￥586.5192 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 325A 1400000mW 11Pin Bulk88581-9￥1496.517010-24￥1482.912325-49￥1476.110050-99￥1469.3076100-149￥1462.5053150-249￥1455.7029250-499￥1448.9006≥500￥1442.0982 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 150A 620000mW Medical 7Pin Bulk65291-9￥943.897210-49￥910.778050-99￥906.6381100-149￥902.4982150-249￥895.8744250-499￥890.0785500-999￥884.2826≥1000￥877.6588 -
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品类: IGBT晶体管描述: Trans IGBT Module N-CH 1700V 375A 1650000mW 11Pin Bulk33601-9￥2035.264010-24￥2016.761625-49￥2007.510450-99￥1998.2592100-149￥1989.0080150-249￥1979.7568250-499￥1970.5056≥500￥1961.2544 -
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品类: IGBT晶体管描述: IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管 (IGBT)，用于电动机驱动器和其他高电流切换应用。 ### IGBT 分立，On Semiconductor 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备，以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中，将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。30355-24￥5.710525-49￥5.287550-99￥4.9914100-499￥4.8645500-2499￥4.77992500-4999￥4.67425000-9999￥4.6319≥10000￥4.5684
